Page 191 - 《振动工程学报》2025年第8期
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第 8 期                       盛向前,等: 非平稳非高斯随机过程插值模拟方法                                       1831

              进而计算潜在非平稳高斯随机过程的功率谱函数                             函数,表示为:
               Y
              S j,k (ω,t);                                                           e -0.25t  - e -0.5t
                                                                               g (t) =                    (19)
                                                      Y
                 (4) 根据潜在高斯随机过程功率谱函数 S j,k (ω,t)                                         0.25
                                                                                               Z
              和式(14)进行非平稳高斯随机过程模拟,得到相应                               Z(t)的演变功率谱密度函数 S(ω,t)为:
                                                                              S (ω,t) = g (t) S (ω)       (20)
                                                                               Z
                                                                                             X
                                                                                         2
              时程样本过程;
                                                                       X
                 (5) 通过式(1)和非平稳高斯时程样本过程,得                       式中,S(ω)为 X(t)的功率谱密度函数,表示为:
                                                                                    ω g + 4ξ g ω g ω  2
                                                                                              2
                                                                                           2
                                                                                      4
              到具有特定目标功率谱和概率信息的非平稳非高斯                                     S (ω) =                     S 0  (21)
                                                                          X
                                                                                          2
                                                                                   2
                                                                                                 2
                                                                                               2
              时程样本过程。                                                            ( ω - ω g 2 ) + 4ξ g ω g ω 2
                                                                                                         -3
                                                                式中,ω g =12.15 rad/s,ξ g =0.65,S 0 =0.07 m ∙s 。计
                                                                                                       2
              2 算例验证                                            算中,截止频率的上、下限分别为 ω U  =100 rad/s 和
                                                                ω L =0,频率离散数目 N w 为 1000,时间延迟离散数目
                  为验证本文所提非平稳非高斯随机过程模拟方                          N τ 为 256,时间离散数目 N t 为 1024。
              法(记为建议法)的有效性,本节将通过两个算例对                                对于均匀调制非高斯随机过程模拟,通常可对
              其进行验证,其中算例 1 为单点均匀调制非高斯随                          平稳非高斯随机过程 X(t)进行模拟得到样本随机
              机过程模拟,算例 2 为多点非均匀调制非高斯随机                          过程,再结合式(18),即可得到 Z(t)的样本随机过
              过程模拟。为对比分析,本文同时考察文献[6]提出                          程,其中结合文献[30],d 和 M 的取值分别为 11 和
              的潜在高斯随机过程的功率谱密度函数迭代求解方                            3。为验证 Mehler 公式求解相关函数的精度,图 3 分
                                                        [4]
              法,并将其与谱表示法          [16] 和无记忆非线性变换 结              别 绘 制 了 由 式(3)通 过 积 分 求 解 (记 为 标 准 解)、
              合,获得相应非高斯随机过程(记为迭代法)。                             Mehler 公 式 求 解 以 及 插 值 求 解 Y(t)的 相 关 函 数 。
                  随 机 过 程 Z(t)的 时 变 均 值 μ Z (t)、时 变 二 阶 矩       由图 4 可知,通过 Mehler 公式求解得到 Y(t)的相关
              m Z,2 (t)、时变三阶矩 m Z,3 (t)、时变四阶矩 m Z,4 (t)、时变      函数能够与标准解在整个时间延迟上吻合,这表明
              偏度 sw Z (t)和时变峰度 ks Z (t)的计算表达式如附录                Mehler 公式求解具有较高的计算精度,同时,插值
              所示。                                               求解的结果与 Mehler 公式求解的结果完全吻合,这
                                                                表明插值求解能够精确确定潜在高斯随机过程的相
                  本文所有程序均在处理器为 i5‑12600 K、主频
                                                                关 函 数 。 随 后 ,基 于 1.1 节 和 1.2 节 ,分 别 通 过
              为 3.70 GHz 和内存为 32 GB 的计算机上运行。
                                                                Mehler 公式求解和插值求解,得到 X(t)对应的潜在
              2. 1 单点均匀调制非高斯随机过程模拟                              高斯随机过程 Y(t)的功率谱密度函数 S(ω),如图 4
                                                                                                    Y
                                                                所示。同时,由迭代求解得到的潜在高斯随机过程
                  对于单点均匀调制非高斯随机过程 Z(t),其边
                                                                的功率谱密度函数绘制于图 4。由图 4 可知,通过插
              缘 密 度 函 数 为 Gamma 分 布 ,且 均 值 μ Z (t)、二 阶 矩
                                                                                                Y
                                                                值方法和 Mehler 公式求解得到的 S(ω)能够与标准
              m Z,2 (t)、偏度 sw Z  (t)和四阶矩 m Z,4 (t)的目标值如图 3
                                                                                               Y
                                                                解吻合,而通过迭代求解得到的 S(ω)虽然能够与
              所示。Z(t)可由下式表示:
                             Z (t) = g (t) X (t)       (18)     标准解相近,但在峰值处却表现出明显差异。为进
                                                                一步考察 Mehler 公式求解、插值求解和迭代求解的
              式中,X(t)为平稳非高斯随机过程;g(t)为均匀调制



















                                                                       图 4  潜在高斯随机过程的功率谱密度函数
                             图 3  相关函数对比                        Fig. 4  Power  spectral  density  function  of  underlying
                     Fig. 3  Comparison of correlation function        Gaussian stochastic process
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