Page 41 - 《摩擦学学报》2020年第6期

724 摩 擦 学 学 报 第 40 卷

2.82 topography after CMP[J]. Advanced Materials Research, 2012, 476-
478: 2603–2607. doi: 10.4028/www.scientific.net/AMR.476-478.
2.80 2603.
Fractal dimension, D 2.78 [ 4 ] Shin C, Kulkarni A, Kim K, et al. Diamond structure-dependent pad

and wafer polishing performance during chemical mechanical
2.76
polishing[J]. International Journal of Advanced Manufacturing
2.74
2.72 [ 5 ] Technology, 2018, 97: 563–571. doi: 10.1007/s00170-018-1956-3.
Li Si, Zhang Yu. Development and application of chemical
mechanical polishing equipment[J]. Equipment for Electronic
2.70
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Products Manufacturing, 2019, 48(5): 1–6, 20 (in Chinese) [李思, 张
Surface wear ratio/%
雨. 化学机械抛光技术发展及其应用[J]. 电子工业专用设备,

Fig. 11 Fractal parameter D
2019, 48(5): 1–6, 20]. doi: 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.05.001.
图 11 分形参数D变化
[ 6 ] Zhou Y, Pan G S, Shi X L, et al. The effects of ultra-smooth surface
atomic step morphology on chemical mechanical polishing (CMP)
b. 建立了芯片三维形貌评定的参数体系. 结合
performances of sapphire and SiC wafers[J]. Tribology
2012年颁布ISO 25178-2的部分三维参数体系重新分
International, 2015, 87: 145–150. doi: 10.1016/j.triboint.2015.
析定义了芯片表面形貌的表征参数，确立了四大类三 02.013.
维区域表征参数，其中包含4个幅度参数、2个空间参 [ 7 ] He Yan, Yuan Zewei, Wang Kun, et al. High-productivity
数、2个混合参数和1个分形参数，并明确说明了这些 ultraprecise polishing technique of single crystal sapphire[J].
三维参数可以评定CMP加工后的芯片表面微观形貌 Modular Machine Tool & Automatic Manufacturing Technique,
2018, (2): 136–139 (in Chinese) [何艳, 苑泽伟, 王坤, 等. 单晶蓝宝
特征，同时验证了分形参数适用于评定芯片表面质量.
石高效超精密加工技术研究[J]. 组合机床与自动化加工技术,
c. 由芯片加工仿真可得，幅度参数从统计学与高
2018, (2): 136–139].
度分布两方面表征了芯片加工表面的幅度特征，指出
[ 8 ] Yu Qing, Liu Defu, Chen Tao. Chemico-mechanical polishing
了参数 S q 比参数 S a 对芯片抛光加工表面中的形貌变 technique of monocrystal sapphire substrate wafer[J]. Surface
化更为敏感，可以更好地对芯片加工前后质量进行控 Technology, 2017, 46(3): 253–261 (in Chinese) [余青, 刘德福, 陈
制和功能预测，参数 S ku 和 S sk 则能够表征表面幅度分 涛. 单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究[J]. 表面技术,
布状态，符合模拟加工过程. 空间参数 S al 和 S tr 在模拟 2017, 46(3): 253–261].
加工过程中变化幅度小，却在一定程度上可作为芯片 [ 9 ] Sun Yan, Li Li, Sun Yuan, et al. Effect of different test method on
measurement result of surface roughness of planar surfaces on
表面类型评定参数. 混合参数对于芯片表面的幅度和
silicon wafer[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2009, 33(6):
间距特性具有较好的表征效果，能够表征抛光加工过
884–888 (in Chinese) [孙燕, 李莉, 孙媛, 等. 测试方法对硅片表面
程中芯片表面斜率和光滑度. 分形参数D作为表面本
微 粗 糙 度 测 量 结 果 影 响 的 研 究 [J]. 稀 有 金 属 , 2009, 33(6):
身所固有且与尺度无关的参量，能够准确反映芯片表 884–888]. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.024.
面的复杂程度. 综上所述，建立的芯片表面形貌评定 [10] Feng Yan. Research on fundamental problem of thermal elasto-
体系实现了对CMP加工的芯片表面形貌的全面性参 plastic contact and its application[D]. Hangzhou: Zhejiang
数表征，有利于后续表面芯片性能的评价与分析. University, 2016(in Chinese) [冯燕. 热弹塑性接触基础问题及其
应用研究[D]. 杭州: 浙江大学, 2016].
参 考 文 献
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piece[J]. Measurement & Control Technology, 2005, (5): 37–39 mechanical polishing[J]. Infrared and Laser Engineering, 2019,
(in Chinese) [程卫民, 陈岭丽. 工件表面的形貌分析[J]. 测控技术, 48(12): 1–12 (in Chinese) [金寿平, 童宏伟, 张玉慧, 等. 化学机械
2005, (5): 37–39]. doi: 10.3969/j.issn.1000-8829.2005.05.011. 抛光的钛宝石晶体低损伤加工[J]. 红外与激光工程, 2019, 48(12):
[ 2 ] Zhang Man. Study on preparation of alumina abrasive, stability of 1–12].
polishing slurry and its polishing properties[D]. Hefei: Hefei [12] Zhang Weicai, Song Jing, Yang Hongxing, et al. Research on haze
University of Technology, 2019(in Chinese) [张曼. 氧化铝磨料制 value of wafer surface[J]. Semiconductor Technology, 2011, 36(9):
备、抛光浆料稳定性及其抛光性能的研究[D]. 合肥: 合肥工业大 681–683 (in Chinese) [张伟才, 宋晶, 杨洪星, 等. 晶片表面Haze值
学, 2019]. 研究[J]. 半导体技术, 2011, 36(9): 681–683]. doi: 10.3969/j.issn.
[ 3 ] Wang R, Wang J, Sun M, et al. Characterization of wafer surface 1003-353x.2011.09.007.