Page 92 - 《爆炸与冲击》2025年第9期
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第 45 卷             崔    鹏,等: 动荷载下硅砂的破碎特性及吸能效应试验研究                               第 9 期

               度为  5 km/s。应变数据采集模块中,考虑本文测试的散体材料波阻抗较低且为变化值,试验中采用高灵
               敏度半导体应变片,电阻为            120 Ω,增益系数为      1 000,应变片距试件两端均为          850 mm。

               Pressure

               cylinder
                                                           σCT  Specimen  σsT σss  σer  Transmission bar
                                                       Incident bar σCR
                        Gus gun           Pulse shaper
                                   Velocimeter   Incident bar  Specimen    Transmitted bar  Dashpot






                                                      Post-test shaper               Sample loading

                                     Data capture                                     Sleeves setup
                                                       Strain gage

                  SHPB setup        Cotrol system  Velocimeter              Sand specimen      Pre-pressure

                                                   图 1    改进的霍普金森杆
                                            Fig. 1    Improved split Hopkinson pressure bar

                   设计了适用于散体颗粒材料的加载套筒。改进的套筒由盛放试样的外套筒、控制试样长度的内套
               筒及功能不同的        3  组垫片组成。外套筒由高强钢制成,长度为                   400 mm,内径为     40.1 mm,壁厚为    2 mm,
               可以侧向约束散体材料,并允许入射杆在套筒内滑动和转动。套筒上布置螺孔,通过螺栓固定垫片在套
               筒中的位置调节试样长度,并在冲击过程中排出空气,减小试验误差;内套筒材质与外套筒材质相同,直径为
               25 mm,主要用于精确控制试样的长度和初始密度;垫片分别为前端垫片、后端垫片和支撑垫片。前端
               和后端垫片材质与         SHPB  杆相同,采用     7075  铝合金,直径为     40.0 mm,厚度为    15 mm。垫片的主要作用是
               消除试件与杆端之间的不连续性和约束散体颗粒;支撑垫片与套筒材料相同,厚度为                                       10 mm,位于后端
               垫片底部,仅在试样制作时使用,可保证后端垫片在固定时不发生倾斜,从而保证试样长度的精确控制。
                   SHPB  冲击试验过程中,入射应变            ε 与反射应变      ε 由入射杆上的应变片测得,透射应变                ε 可由透射
                                                                                                 t
                                                               r
                                                  i
               杆上的应变片测得。电压信号转变为应变信号按下式计算:
                                                            4U in
                                                       ε =                                              (1)
                                                          KU WB nA u
               式中:U 为半导体应变片测量的电压;K                 为半导体应变片灵敏因数,取值为                2.08;n  为桥臂数,试验中接
                      n
                     i
               入方式为半桥,取值为          2;通过预试验确定增益系数            A =1 000,桥压  U =4 V。
                                                                          WB
                                                             u
                   根据一维应力波理论          [25] ,可得到杆中入射应变       ε 、反射应变     ε 和透射应变     ε 。其中,试件的应力         σ 、
                                                                         r
                                                             i
                                                                                                         s
                                                                                     t
               应变  ε 和平均应变率       ˙ ε s  分别为:
                    s
                                                        E b A b
                                                    σ s =   (ε i +ε r +ε t )                            (2)
                                                        2A s
                                                         w  t
                                                       c b
                                                   ε s =   (ε i −ε r −ε t )dt                           (3)
                                                       L s  0
                                                         c b
                                                     ˙ ε s =  (ε i −ε r −ε t )                          (4)
                                                         L s
               式中:A 和 s  L 为试件横截面面积和长度,A 、E 和          b  c 分别为杆横截面面积、弹性模量和波速,t 为时间。
                          s
                                                           b
                                                    b
               1.2    试验材料
                   试验用砂取自天津河砂,在            105 ℃  的烘箱中对砂样进行          24 h  恒温烘干处理。根据级配曲线,如图              2
               所示,原始砂样平均粒径为            0.63 mm,不均匀因数为       5.07,曲率因数为      1.02。图  3  所示为硅砂表面扫描电
                                                         093101-3
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