Page 86 - 《真空与低温》2025年第5期

陈益峰等：深层放电脉冲特征模拟及对 MOS 器件损伤试验 625

Nuclear Science，2017，64（11）：2822−2828. 47（1）：80−88.
[14] 曹喜滨，路同山. 典型轨道环境效应及对在轨卫星影响分 [19] 中国国家标准化管理委员会. 静电放电抗扰度试验：第 6
析 [J]. 上海航天，2021，38（3）：18−29. 部分 试验发生器：GB/T 17626.2—2018[S]. 北京：中国标
[15] 李宏伟，韩建伟，蔡明辉，等. 卫星充放电效应对典型星载 准出版社，2018：6.
电子设备影响的实验研究 [J]. 航天器环境工程，2021， [20] 冯伟泉，王志浩，万成安，等. GEO 卫星表面充放电引起
38（3）：370−374. 卫星地电位瞬变及对二次电源干扰试验研究 [J]. 航天器
[16] NWANKWO V U J，JIBIRI N N，KIO M T. The impact of
环境工程，2013，30（1）：54−57.
space radiation environment on satellites operation in near-
[21] 王俊，李得天，杨生胜，等. 1.5 MeV 电子辐照下高压电缆
earth space[M]. Intechopen，2020.
内带电效应研究 [J]. 真空与低温，2015，21（5）：269−272.
[17] WOLF K F J，BAOUT B. Alternative test set-up for testing
[22] SIA. 2023 State of the US semiconductor industry[R]. Wa-
the immunity of spacecraft equipment against discharge of
shington，DC，2023.
electrostatic energy （ESD）[J]. IEEE Electromagnetic Com-
[23] SEMI. Global semiconductor equipment market statistics
patibility Magazine，2020，9（1）：69−76.
（WWSEMS） [R]. Milpitas，CA，2023.
[18] 郑汉生，朱翔，陈睿，等. 空间静电放电对集成运算放大器
的干扰影响模拟试验研究 [J]. 中国科学：技术科学，2017， （责任编辑：郭 云）

引文信息：陈益峰，冯娜，王金晓，等. 深层放电脉冲特征模拟及对 MOS 器件损伤试验[J]. 真空与低温，2025，31（5）：619−625.
CHEN Y F，FENG N，WANG J X，et al. Experimental on pulse simulation of deep charging effect and damage to MOS-
FET[J]. Vacuum and Cryogenics，2025，31（5）：619−625.