Page 85 - 《真空与低温》2025年第5期

624 真空与低温 第 31 卷 第 5 期

度更大，导致其被击穿所需损伤的累积次数则 伤，造成 MOS 器件 D 极和 S 极之间的漏电流增大，
减少。 而且该损伤可通过多次累积直至绝缘层彻底被击
穿，导致器件失效。
20

参考文献：
10
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3 结论
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特征的同时，又具有重复性好、放电参数方便调节 nanosatellites[J]. Journal of Spacecraft and Rockets， 2017，
的优点，建立了适用于定量研究深层放电对电子器 54（2）：386−394.
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估和防护设计具有较好的指导意义和应用价值。 效应试验 [J]. 国防科技大学学报，2024，46（1）：87−92.
（2）模拟脉冲注入 MOS 器件 G 极后将产生干 [11] 常峥，王咏梅，田天，等. 地球同步轨道卫星在轨异常与空
扰信号，当脉冲电流幅值较低时器件能很快恢复信 间环境相关性分析 [J]. 宇航学报，2017，38（4）：435−442.
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器件内部绝缘层的击穿，导致 MOS 器件产生不可 的影响分析 [J]. 飞行器测控学报，2017，36（3）：201−206.
恢复的“硬损伤”现象。同时研究发现，当放电电 [13] YU X Q，CHEN H F，ZONG Q G，et al. Mitigating deep di-
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