Page 27 - 《真空与低温》2025年第3期
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298 真空与低温 第 31 卷 第 3 期
秀的高频特性,使其在射频、太赫兹领域有较大的 压增益的 A v 表达式:
应用潜力。目前对 NVCTs 的研究还停留在器件的 ( )
1 1
//
v out = −g m
结构优化和场发射材料的选择等方面,为了进一步 //R ac //R L
jwC 2 jwC ac ) (11)
推动此类器件在高频、射频领域的发展,需要构建 v out ( 1 1
A V = = −g m // //R ac //R L
基于纳米真空沟道晶体管的高频小信号等效电路 v in jwC 2 jwC ac
模型。基于纳米真空沟道晶体管的工作原理及特 式中: j 为虚数单位;ω 为角频率。
性,构建了基于纳米真空沟道晶体管的两类高频小
C ag
信号等效电路模型——共阴极高频小信号等效电 G A
路和共栅极高频小信号等效电路。 C ac
R s g m V gc R ac R L v out
在固态器件中,共发射极/源极是最主要的小 +
v in − C gc R gc
信号等效电路配置,在这类配置中,高频小信号从
C
栅极馈入,从集电极/漏极输出。参考固态器件,结 (a)共阴极高频小信号等效电路模型
合 Fowler-Nordeim(F-N)理论,在输入电压的作用 G A
下,输出电流的表达式为: C 1 C 2 C ac
R s
[ ] 2 R ac R L v out
) V ac
Aαβ 2 ( V gc ±v in + 3 v in + − C gc R gc g m V gc
µ Bdφ 2
I ac = exp − [ ] C
d φ
2
v ( ) V ac (b)分解 C ag 后的共阴极高频小信号等效电路模型
β V gc ±v in +
µ
(10) 图 7 共阴极高频小信号等效电路图
式中:v i 为输入的交流电压;φ 是阴极的功函数。 Fig. 7 The equivalent circuit diagrams of the common cathode
n
共阴极(Common-cathode)高频小信号等效电 high-frequency small-signal
路图如图 7(a)所示,其中 R s 为高频电压源内阻;C gc 、 在固态器件中,还有一类共栅极配置(Common-
C ag 、C a 分别为栅极与阴极间的极间电容、阳极与 gate),其主要原理是将栅极作为公共端,在设定好
c
栅极间的极间电容、阳极与阴极间的极间电容;R gc 、 直流偏压后,信号从发射极/源极馈入,从集电极/漏
R a 分别为栅极与阴极间的电阻、阳极与阴极间的 极输出。参考此类配置,同样可以构建基于纳米真
c
电阻。由于 C a 同时跨接在输入和输出端,可以等 空沟道晶体管的共栅极高频小信号等效电路模型,
g
效为米勒电容,进而可以分解为 C 1 和 C 2 。图 7(b) 栅极充当控制电流的关键节点,阴极则作为电流的
为 C a 分解后的共阴极高频小信号等效电路。 输入端,阳极则作为电流的输出端。根据 Fowler-
g
通过分析图 7(b),可以得到输出电压 v ou 和电 Nordeim(F-N)理论,其电流表达式为:
t
[ ] 2
( ) V ac ±v in
Aαβ 2 V gc ±v in +
µ Bdφ 2 3
I ac = exp − [ ] (12)
d φ ( ) V ac ±v in
2
v
β V gc ±v in +
µ
由式(12)可得:输出电流 I a 受输入电压 v i 对 共栅极高频小信号等效电路如图 8(a)所示。
n
c
栅极-阴极电压 V g 和阳极-阴极电压 V a 的协同调 此外,由于输入电压同时影响 V g 和 c V ac ,模型可以
c
c
制作用。为进一步量化这些电压差对输出电流的 进一步简化为图 8(b)所示的形式。此时,两个跨
调制作用,定义跨导 g m 和 1 g m2 ,分别表征栅极-阴极 导参数 g m 和 1 g m 可以合并为一个等效跨导 g m ,其
2
电压变化和阳极-阴极电压变化对阳极电流的影响 中 g m 表达式为:
程度。其表达式分别为: ∂I A
g m = (14)
= g m1 +g m2
∂v in
∂I A
g m1 =
通过对图 8(b)电路图的分析,可以得到其输
∂V gc V ac =constant
(13)
入电阻 R in 、输出电阻 R out 、输出电压 v out 、电压增益
∂I A
g m2 =
A v 的表达式:
∂V ac V gc =constant