Page 20 - 摩擦学学报2025年第5期
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654                                    摩擦学学报(中英文)                                        第 45 卷


              (a)                           (b)
                                                       C=C (sp 2 -C)               C-N          C=N   O-C=O
                 C 1s-Si 100 N 0                        68.63            9.08      11.92     2.53
                                        Si 0 N 100  0.00                                          3.83  2.50  1.51
                                C=C                                                 9.59     3.50
                               284.7 eV  Si 20 N 80  6.78   60.33        12.55                     3.38  2.44  1.43
                Intensity/a.u.  286.4 eV  285.3 eV  Si 40 N 60  10.13  57.05  13.09  8.44    4.87   2.83  2.67  2.27  2.39  1.32  0.98
                                C-C
                                                                                              4.78
                                                            55.81
                                                                                     7.64
                                                10.60
                                                                          15.12
                                 C-Si
                                        Si 60 N 40
                        C-O
                 289.5 eV
                                283.9 eV
                  O-C=O
                                        Si 80 N 20  11.41   53.66           20.34         6.29   4.09  1.44  1.83  0.95
                         C=O
                        288.0 eV        Si 100 N 0  12.05  48.88  C-C (sp 3 -C)  30.81         0.00  5.32  0.00  1.48  1.45
                 291  288  285   282        0   C-Si    13  60          70     80           90   C-O  C=O  100
                    Binding energy/eV                                  Peak area ratio/%
                                                                                    (d)
                                       (c)
                 C 1s-Si 60 N 40  C=C      Si 2p-Si 100 N 0  Si-O-C  Si 2p-Si 60 N 40  Si-O-C
                                                                                                      Si-N
                               284.7 eV               101.4 eV            101.4 eV  Si 0 N 100  4.83  C-Si  Si-O-C  14.61  SiO 2  3.06
                                                                                             77.50
                                                                                   Si 20 N 80
                Intensity/a.u.  287.0 eV  285.3 eV  Intensity/a.u.  100.6 eV  102.5 eV  Si-C  Si 40 N 60  10.67  76.30  9.14  3.88  3.98
                                C-C
                       285.9 eV
                        C-N
                                                         Si-C
                                                                   Si-N
                                                                                         13.47
                                                                                                 76.25
                                                                                                       6.30
                                 C-Si
                 289.5 eV C=N
                  O-C=O         283.9 eV   103.0 eV            103.0 eV    100.6 eV  Si 60 N 40
                                            SiO 2
                                                                SiO 2
                                                                                   Si 80 N 20  16.90  74.78  4.59  3.73
                   C=O    C-O
                  288.0 eV  286.4 eV                                               Si 100 N 0  19.62  76.75  0.00  3.63
                 291  288  285   282       106  104  102  100  98  106  104  102  100  98  0  10  20 80  90  100
                    Binding energy/eV        Binding energy/eV   Binding energy/eV         Peak area ratio/%
                                                                                    (f)
                                       (e)                                                     Pyrrolic/pyridonic N
                 C 1s-Si 0 N 100  C=C      N 1s-Si 60 N 40    N 1s-Si 0 N 100  398.6 eV    45.39  27.89
                               284.7 eV                398.6 eV            Pyridinic N  Si 0 N 100  0.00  16.28  10.44
                                              399.6 eV  Pyridinic N
                                                                           399.6 eV
                                              Pyrrolic/         400.4 eV   Pyrrolic/  Si 20 N 80  3.19  42.42  27.48  15.69  11.22
                                              pyridonic N
                Intensity/a.u.  287.0 eV  C-C  Intensity/a.u.  (graphitic) N  397.7 eV  (graphitic) N  pyridonic N  Si 40 N 60  3.77  5.12  43.28  27.70  13.69  11.57
                                                                Quaternary
                                             400.4 eV
                      285.9 eV
                                            Quaternary
                       C-N
                                                                402.3 eV
                                                                                                  27.29
                                                                                           42.47
                                                                                   Si 60 N 40
                 289.5 eV C=N
                                             N-O
                  O-C=O        285.3 eV     402.3 eV     N-Si    N-O                                    13.84  10.79
                                                                                   Si 80 N 20  6.63  40.89  27.07  12.82  12.60
                   C=O    C-O                                                             Pyridinic N    N-O
                  288.0 eV  286.4 eV                                               Si 100 N 0  N-Si  Quaternary (graphitic) N
                 291  288  285   282        405  402  399  396  405  402  399  396
                    Binding energy/eV        Binding energy/eV   Binding energy/eV     0   20  40  60  80  100
                                                                                           Peak area ratio/%
             Fig. 5    XPS spectrum and the corresponding deconvoluted results of the Si/N-DLC coatings under the different SiH 4 /N 2  ratio: (a) C
             1s spectra (Si 100 N 0 , Si 60 N 40  and Si 0 N 100 ) and the deconvoluted results; (b) peak area ratio of the deconvoluted peaks in C 1s spectra;
              (c) Si 2p spectra (Si 100 N 0  and Si 60 N 40 ) and the deconvoluted results; (d) peak area ratio of the deconvoluted peaks in Si 2p spectra;
              (e) N 1s spectra (Si 60 N 40  and Si 0 N 100 ) and the deconvoluted results; (f) peak area ratio of the deconvoluted peaks in N 1s spectra
             图 5    不同SiH 4 /N 2 流量比条件下沉积的Si/N-DLC涂层的XPS谱及其拟合结果:(a) C 1s精细谱(Si 100 N 0 、Si 60 N 40 和Si 0 N 100 )及去
                 卷积结果;(b) C 1s精细谱去卷积峰面积百分比;(c) Si 2p精细谱(Si 100 N 0 和Si 60 N 40 )及去卷积结果;(d) Si 2p精细谱去
                     卷积峰面积百分比;(e) N 1s精细谱(Si 60 N 40 和Si 0 N 100 )及去卷积结果;(f) N 1s精细谱去卷积峰面积百分比
            元素会形成强的共价键,可显著改善涂层的韧性                   [17, 41, 45] ,  175.9和133.4 m处出现了涂层润滑失效现象,而其他
            这是导致涂层结合强度增加的另外1个重要因素.                             条件下获得Si/N-DLC涂层则能够维持稳定的服役性

            2.3    油田产出水环境下Si/N-DLC涂层的摩擦学行为                    能. 值得注意的是Si      100 /N 、Si /N 、Si /N 和Si /N 60
                                                                                    0
                                                                                               60
                                                                                        80
                                                                                                   40
                                                                                                        40
                                                                                           20
                图8所示为316L SS基底和不同SiH /N 流量比条                   的摩擦系数曲线较为相似,具体表现为在急速下降之
                                                 2
                                              4
            件下沉积的Si/N-DLC涂层在模拟油田产出水环境下                         后达到1个较为稳定的阶段并保持较长时间,随后又
            相对于Al O 摩擦副所获得的摩擦性能测试结果. 如                         出现了一定程度的降低最后趋于稳定. 特别地,Si                 100 /N 0
                       3
                     2
            图8(a)所示,316L SS基底在油田产出水环境中的摩擦                      的摩擦系数曲线展现出明显的起伏,这是典型的磨粒
            系数曲线在初始摩擦阶段急剧上升,随后进入1个逐渐                           磨损的特征,将在后续详细讨论. 鉴于上述摩擦曲线
            缓慢上升的阶段. 而Si/N-DLC涂层则展现出1个完全                       所展现的2个平台期,分别选取了滑动距离为80~120 m
            相反的趋势,表现为先快速降低而后逐渐趋于稳定. 其                          和180~200 m的2个阶段,分别标记为阶段I和阶段II,
            中Si /N 和Si /N  100 涂层体系分别发生在滑动距离为                  获取了对应的摩擦系数,如图8(b)所示. Si/N-DLC涂
                   80
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