Page 6 - 摩擦学学报2025年第4期
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494                                    摩擦学学报(中英文)                                        第 45 卷

            1.5    摩擦学性能表征                                     2.2    理化性质表征
                本文中所有的摩擦学性能测试均基于SRV-5微振                            XPS表征进一步证实了偶联剂KH590的键合和
            动摩擦磨损试验机进行,通过上试样球和下试样盘之                            大蒜油GO的成功接枝. 图3(a)所示为经过偶联剂
            间的点对面接触来进行摩擦学性能测试. 其中上下试                           KH590改性后的SH@PCN-500的XPS全谱中出现了位
            样采用的是GCr15钢加工而成的直径为10 nm的球体                        于102 eV (Si 2s)和152 eV (Si 2p)的2个新峰. 图3(b)所
            和Φ24 mm×8 mm的圆柱体,硬度均为65 HRC. 通过                    示为SH@PCN-500的Si 2p精细谱,位于102.5 eV的峰对
            NPFLEX三位轮廓仪(布鲁克)表征获得的磨斑形貌,                         应Si-O键,这是由于KH590通过硅氧键水解和PCN-500
                                                               表面的羟基发生脱水反应生成共价键. C元素是样品
            并利用软件计算得到相应的磨损体积.

                                                               中最重要的骨架元素,如图3(c)所示,GO-SH@PCN-
            2    结果与讨论                                         500的C 1s谱中出现位于284.7、285.6和288.7 eV处的

                                                               3个峰,分别归属于C-C/C-H、C-O/C-N和C=O. 图3(d)
            2.1    微观形貌表征
                                                               所示为GO-SH@PCN-500的S 2p精细谱,位于163.5和
                图2(a~b)所示为PACP和GO-SH@PCN-500的SEM
                                                               164.4 eV的信号分别归属于C-S-S-C结构和SO -C结构,
                                                                                                     2
            照片,通过苯胺吡咯的胶束界面聚合策略成功得到了
                                                                                                [15]
                                                               表明GO成功接枝到SH@PCN-500表面 . 图3(e)所示
            均匀的球状PACP,经过高温碳化和改性处理后的样
                                                               为红外光谱,发现经过KH590改性后,炭材料在800
            品依然保持完整的球形形貌. 由GO-SH@PCN-500的                               −1                           [16]
                                                               和1 120 cm 处出现新峰,归属于O-Si-O结构 ,2 930
            HAADF图中可以看出,球状结构表面有1层膜状物,                                    −1
                                                               和2 560 cm 处的吸收峰分别对应于KH590中亚甲基
            如图2(c)所示,这主要是由于PCN-500纳米球表面键                       的C-H伸缩振动和S-H伸缩振动,690 cm 处的吸收峰
                                                                                                 −1
            合了偶联剂KH590并且成功接枝了大蒜油化合物GO.                                    [17]
                                                               归属于S-C键 .
            C、N和O元素来自苯胺和吡咯胶束界面聚合后形成的                               图3(f)所示为热重结果,可以看出PCN-500由于经
            碳骨架结构,从相应的mapping图谱中可以观察到C、                        过高温碳化,因而在此温度区间内质量变化不明显.
            N、O元素呈现均匀分布,如图2(d~f)所示,表明PCN-500                   经过KH590改性后的SH@PCN-500则在300 ℃左右出
            纳米球在经过高温碳化和改性处理后依然保持完整                             现热失重,这是由于部分偶联剂分子和有机链的热分解
            的球形形貌. 在Si元素和S元素的mapping图中可以发现                     所致,最终质量损失为14.8% (质量分数). 经过GO接枝
            其分布状态与膜状物分布状态基本保持一致,如图2(g~h)                       后的GO-SH@PCN-500,则表现出更多的热失重(18.3%,
            所示,表明偶联剂KH590和大蒜油GO的成功接枝.                          质量分数),与SH@PCN-500相比,热失重率增加3.5% (质


              (a)                     (b)                     (c)            HAADF    (d)                 C








                             200 nm                   1 μm                  200 nm                  200 nm


              (e)                 N   (f)                 O   (g)                Si   (h)                 S









                            200 nm                  200 nm                  200 nm                  200 nm

                  Fig. 2    SEM micrographs of (a) PACP and (b) GO-SH@PCN-500; (c) HAADF micrographs of GO-SH@PCN-500,
                                   and the corresponding EDS mappings of (d) C, (e) N, (f) O, (g) Si, (h) S
                     图 2    (a) PACP和(b) GO-SH@PCN-500形貌的SEM照片;(c) GO-SH@PCN-500的HAADF图像和相应的
                                         (d) C、(e) N、(f) O、(g) Si、(h) S元素的mapping图谱
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