Page 22 - 摩擦学学报2025年第4期
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510 摩擦学学报(中英文) 第 45 卷
0.6 0.6
(a) Loading 0.3 (b) h max /t = 1.0 Unloading
0.3
Tangential stress, σ t /σ ys −0.3 h/t = 0.2 Tangential stress, σ t /σ ys −0.3 h/t = 0.95
0.0
0.0
h/t = 0.5
−0.6
h/t = 0.8
h/t = 0.85
h/t = 1.0 −0.6 h/t = 0.90
h/t = 0.80
−0.9 −0.9
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
Radial distance, r/a Radial distance, r/a*
Stage I Stage II Stage III 0.9 Stage I Stage II Stage III
0.9
Maximum tangential stress, σ t /σ ys −0.3 r/a = 1.0 Maximum tangential stress, σ t /σ ys −0.3 r/a = 1.0
(d)
(c)
Loading
Unloading
0.6
0.6
0.3
0.3
0.0
0.0
−0.6
r/a > 1.0 −0.6 r/a > 1.0
−0.9 −0.9
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Indentation depth, h/t Maximum indentation depth, h max /t
Fig. 10 Evolution of interface tangential stresses of the film-substrate system with the contact geometric parameter of t/R=0.04:
stress distributions during (a) the loading process and (b) the unloading process; maximums of the
tangential stress during (c) the loading process and (d) unloading processes
图 10 接触几何参数t/R=0.04的膜基系统界面切向应力演化:(a)加载和(b)卸载过程中的应力分布;
(c)加载和(d)卸载过程中切向应力的最大值
切向应力极值,这主要是由于基体沿界面的塑性流动 接触区外界面切向应力峰值增加,最终达到其理论最
√
导致了薄膜与基体之间变形不匹配情况加剧,显著的 大值0.6σ ( 1/ 3σ ). 而在卸载过程中,当最大压入深
ys
ys
[10]
相对运动引发了较大的界面切向应力 . 当最大切向 度h max /t作用下系统处于Stage I时,薄膜沿径向弹性恢
应力超过界面的结合强度时,便会在界面处引发剪切 复以及基体沿径向的残余塑性变形导致最大切向应
分层损伤及失效 [18,20] . 由图10(a)可知,最大切向应力位 力方向发生翻转;进入Stage II后,由于接触区外残余
于接触边沿或其外侧,随着加载过程的进行和接触区 塑性变形的限制,此处的切向应力方向不变,保持较
域的扩展,将形成连续的片状界面剪切分层损伤失效 大值[图10(b)和(d)].
区域. 但是,由于应变协调的限制,界面的切向应力不 由图10可知,加载过程中的界面切向应力在平滑
√
会超过基体的剪切屈服强度0.6σ ( 1/ 3σ ) [14,20] . 而在 承载阶段便迫近其理论最大值,因此界面的剪切(II
ys
ys
卸载过程中,随着h/t的减小,薄膜弹性恢复,基体残余 型)分层更易发生在加载阶段,这与文献[9,10]的分析
塑性变形与之相互作用,导致接触区内界面应力峰值 结果相符合. 图11所示为接触几何参数t/R对加载过程
增大,而接触区外应力峰值则逐渐减小,如图10(b)所 中界面最大切向应力的影响. 不同t/R作用下,界面切
*
示,其中a 为最大压入深度作用下的接触半宽. 向应力的最大值均首先出现在接触边沿(r/a=1.0),并
如图10(c)所示,当膜基系统处于平滑承载的阶段 且随着压入深度h/t的增加在系统平滑承载阶段(Stage
时(Stage I),膜基界面最大切向应力位于接触边缘[r/a= I)便迅速增加. 随着t/R的减小,其最大切向应力轻微
√
1.0,图10(a)],随着压入深度h/t的增大其数值迅速增 增加,更迫近理论最大值0.6σ ( 1/ 3σ ).
ys ys
加;当进入薄膜弯曲承载阶段(Stage II)后,最大切向 2.4 膜基系统损伤失效解耦分析及接触几何参数
√
应力接近其理论最大值0.6σ ( 1/ 3σ )而基本保持不 选取
ys
ys
变;随着h/t的进一步增大,拉伸阶段(Stage III)导致的 为避免薄膜断裂和界面分层的耦合作用,考虑接