Page 9 - 《摩擦学学报》2020年第5期
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564                                     摩   擦   学   学   报                                 第 40 卷

            逐渐增至21.9 kPa,铅片表面材料去除率从最低的                         丝绒和铅片表面接触机率也增加,同时抛光过程中铅
            300 Å/min逐渐增至437 Å/min,而表面粗糙度从最低                   片表面材料去除的副产物难以被带走,以上因素均能

            的2.0 nm逐渐升高到7.1 nm.                                造成表面损伤加剧. 同时,由于相对转速过大,丝绒于
                随着加载压力的增大,抛光颗粒、抛光垫与铅片                          铅片的高速剪切容易造成铅片表面温度升高,热积累
            之间的摩擦剪切应力增加,又根据Hernandez等得出                        容易造成铅片表面产生塑性流动,从而进一步增加表
            的Preston广义公式(7)可知材料去除率升高             [29-30] .     面粗糙度    [32, 34] . 可以看出,纯铅CMP更适合在抛光头

                                      a b
                              MRR = kp v                (7)    和抛光盘同向旋转的条件下进行. 本文的后续研究均
            式中:p是加载压力;v是相对速度;k是与加载压力和                          采用抛光头和抛光盘同向旋转的试验条件进行.
            相对速度无关的比例常数;a和b用于衡量加载压力和
                                                                     400                             10
            相对速度对材料去除率的贡献,值越小表示贡献越小.                                 350             MRR
            另一方面,随着加载压力的增大,表面粗糙度也增大.                                 300             R a             8
            这是因为加载压力的增加导致铅片表面与抛光垫实                                   250                             6
            际接触面积增加,抛光过程中层间抛光液的介入减                                  Material removal rate/(Å/min )   200  Surface roughness, R a/nm
            少 [31-32] ,铅片表面材料去除的副产物不能被抛光液及                           150                             4
            时带走,致使副产物在表面堆积,在剪切作用下造成                                  100                             2
            铅片表面划伤.                                                   50
                                                                      0                              0
                同时,由于层间抛光液的减少,抛光液的润滑和                                    Same rotation direction  Different rotation direction
                                                                           (Both head and  (Head clockwise and
            散热作用被削弱,摩擦热会使铅片表面易于发生塑性                                      disc counterclockwise)  disc counterclockwise)
                                                                 Fig. 6  Effect of polishing head and disc with the same or
            变形 . 此外,层间抛光液的减少使化学作用被削弱,
                 [33]
                                                                 different rotation direction on the polishing performance of
            故铅片表层生成的较高硬度的铅氧化膜就越薄,抛光                               pure lead (the rotation speed of both polishing head and
            过程中更多的是铅片基层被磨削,而低硬度的铅基层                                             disc is 60 r/min)
            在高加载压力下容易产生机械损伤缺陷. 可以看出,                            图 6  抛光头和抛光盘同/反向旋转对纯铅抛光性能的影响
                                                                        (抛光头和抛光盘转速均为60 r/min)
            纯铅CMP的加载压力越低表面质量越好. 综上,纯铅
            CMP加工过程中建议将加载压力控制在3.4~12.7 kPa,
                                                               3.2.3    抛光头和抛光盘转速的影响
            此时能够达到最优的表面粗糙度(R 约为2.0 nm),以                           图7所示为当固定抛光头转速(60 r/min)时,铅片
                                            a
            及适中的材料去除率(约300 Å/min). 本文的后续研究
                                                               表面材料去除率与粗糙度随抛光盘转速的变化曲线.
            均采用3.4 kPa的加载压力进行试验.
                                                               如图7所示,随着抛光盘转速从20 r/min增至60 r/min,
            3.2.2    抛光头和抛光盘转向的影响
                                                               铅片表面材料去除率从273 Å/min增至最高的305 Å/min,
                图6所示为当抛光头和抛光盘转速相同时(转速均
            为60 r/min),抛光头和抛光盘同向旋转或反向旋转对                            320     MRR                       6
            铅片表面材料去除率及粗糙度的影响. 如图6所示,当                               300     R a
            抛光头和抛光盘同向旋转时,铅片表面材料去除率为                                 280                               5
            300 Å/min,表面粗糙度为2.0 nm;当抛光头和抛光盘                         260                               4
            反向旋转时,铅片表面材料去除率为310 Å/min,表面                           Material removal rate/(Å/min )   240  3 Surface roughness, R a /nm
            粗糙度为5.7 nm. 可以看出,抛光头和抛光盘反向旋转                             40
            时,铅片表面材料去除率与同向旋转时相当,但表面                                  20                               2
            粗糙度明显高于同向旋转.                                              0                               0
                                                                         20    40     60    80     100
                抛光头和抛光盘反向旋转时,相对转动速度过
                                                                               Rotation speed/(r/min)
            大,这将导致铅片表面和抛光垫层间的抛光液离心力                            Fig. 7    Effect of polishing disc rotation speed on the polishing
                                           [31]
            增大,层间抛光液会被迅速地甩出 . 层间抛光液的                             performance of pure lead with the fixed rotation speed of
            减少导致直接与铅片表面相互作用的化学试剂和抛                                  polishing head (polishing head and disc have the
                                                                             same rotation direction)
            光颗粒变少,生成的铅的氧化膜较薄,抛光液的润滑                             图 7    固定抛光头转速时,抛光盘转速对纯铅抛光性能的
            性也减弱,生成的颗粒团聚物增多,且抛光垫表面的                                       影响(抛光头和抛光盘同向旋转)
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