Page 8 - 《摩擦学学报》2020年第5期
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第 5 期                     蔡荣, 等: 纯铅化学机械抛光中工艺参数对抛光性能的影响                                       563

            压力下,其颗粒和铅片表面的接触应力较大,从而可                            因此该阶段的表面粗糙度较大. 随着胶体二氧化硅质
            提高材料去除率. 此外,眉形抛光颗粒与铅片表面发                           量百分数增至0.03%~0.1%时,此时更多的抛光颗粒参
                                                                                                        [26]
            生的接触为双点接触,在同粒径同浓度下,单颗粒双                            与磨削,根据Preston公式(6)可知材料去除率升高 .
            点接触对材料有效去除的一致性高于单点接触的球                                               MRR = ρNV                (6)
            形颗粒,故此时30~40 nm的眉形颗粒获得的表面粗糙                        式中:N为有效抛光颗粒数量;V为单个抛光颗粒去除
            度最低. 可以看出,纯铅CMP中更适合采用粒径为                           材料的体积. 同时,由于更多的二氧化硅异形抛光颗
            30~40 nm的异形(眉形)胶体二氧化硅抛光颗粒进行抛                       粒与铅片表面接触,抛光颗粒与铅片的球-平面接触
            光. 本文的后续研究均采用该30~40 nm的异形(眉                        有利于形成较低的表面粗糙度             [11, 24] .

            形)胶体二氧化硅进行试验.                                          当胶体二氧化硅质量百分数增至0.1%~0.3%时,
            3.1.2    二氧化硅颗粒浓度的影响                               随着抛光液中抛光颗粒继续增多,铅片表面材料去除
                图4所示为30~40 nm的异形(眉形)胶体二氧化硅                     率和粗糙度保持不变,这说明在此浓度范围内,与铅
            抛光颗粒质量百分数对铅片表面材料去除率及粗糙                             片表面接触的抛光颗粒的总数处于饱和,而质量百分
            度的影响. 如图4所示,随着胶体二氧化硅质量百分数                          数0.1%即为进入饱和状态的转折点. 但是随着质量百
            从0增大到0.03%,铅片表面材料去除率约稳定在最低                         分数的进一步增加,当质量百分数大于0.3%时,抛光
            的258 Å/min,而表面粗糙度从23.7 nm急剧降低至2.8 nm;              液会在抛光垫表面形成胶冻(残留在抛光垫的胶体二
            随着胶体二氧化硅质量百分数从0.03%增至0.1%,铅                        氧化硅与抛光垫表面丝绒杂糅后形成的团聚物)                     [27-28] ,
            片表面材料去除率从258 Å/min急剧增大到最高的                         此时,肉眼可见抛光垫表面残留着较厚的一层白色物
            950 Å/min,而表面粗糙度约稳定在2.4~2.8 nm范围                   质. 在用毛刷和去离子水洗刷修整抛光垫时,能看到
            内;随着胶体二氧化硅质量百分数从0.1%增至0.3%,                        些许白色残留物流入水中,且随着洗刷时间的推移白
            铅片表面材料去除率稳定在约950 Å/min,而表面粗糙                       色物质并不能完全去除,这说明高浓度的颗粒对丝绒
            度稳定在最低的2.4 nm;随着胶体二氧化硅质量百分                         型抛光垫有一定的堵塞,抛光颗粒在界面间难以流
                                                               动,进而使材料去除率缓慢降低,表面粗糙度增大. 可
            数从0.3%增至0.7%,铅片表面材料去除率从950 Å/min
                                                               以看出,纯铅CMP的最优异形(眉形)胶体二氧化硅质
            缓慢降至785 Å/min,而表面粗糙度从2.4 nm升至
                                                               量百分数为0.1%~0.3%,此时能够达到最优的表面粗糙
            34.9 nm.
                                                               度(R 约为2.4 nm),以及最高的材料去除率(约950 Å/min).
                                                                   a
                  1 400                            40          本文的后续研究均采用质量百分数为0.1%的异形(眉
                Material removal rate/(Å/min )   1 000  20 Surface roughness R a /nm    3.2    机械工艺参数的影响
                                                               形)胶体二氧化硅进行试验.
                  1 200
                                                   30
                                                               3.2.1    加载压力的影响
                   800
                                                                   图5所示为铅片表面材料去除率与粗糙度随加载
                                                   10
                   600
                                                               压力的变化曲线. 如图5所示,随着加载压力从3.4 kPa
                                                   0
                   400
                   200
                                              R a
                    0                         MRR                    500     MRR                     18
                       0.0  0.1  0.2  0.3  0.4  0.5  0.6  0.7        450     R a                     15
                    Colloidal silica mass percentage concentration/%   400
             Fig. 4  Effect of colloidal silica concentration on the polishing                       12
                          performance of pure lead                  Material removal rate/(Å/min )   350  9 Surface roughness, R a /nm
                 图 4  胶体二氧化硅浓度对纯铅抛光性能的影响                             300                             6

                当胶体二氧化硅质量百分数为0~0.03%时,此时                             250                             3
                                                                     200
            抛光液中抛光颗粒较少,抛光过程中的机械作用更多
                                                                      0                              0
            来源于抛光垫与铅片表面的相互作用,而非抛光颗粒                                      3   6   9  12  15  18   21
                                                                                 Down force/kPa
            和铅片表面的相互作用,因此材料去除率较低. 此时
                                                                Fig. 5    Effect of down force on the polishing performance of
            铅片表面大多数区域与抛光垫表面的丝绒直接接触,                                                pure lead
            这容易使铅片表面产生划痕和塑性变形等机械损伤,                                    图 5    加载压力对纯铅抛光性能的影响
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