Page 14 - 《真空与低温》2026年第1期
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高 科等:复合铜集流体制造工艺及其支撑层改性方案综述 11
体设备商研制“等离子体清洗-磁控溅射”一体化生 Cubic,FCC)结构,且原子半径和电负性都最接近,
产线,以确保聚合物和金属层间的牢固结合。 可于界面处形成固溶体的溶解度更大,因此促进基
(3)化学刻蚀 底和 Cu 之间的结合效果最好。Yin 等 [64] 依次在基
热化学处理,也是一种适用于聚合物原位改性的 底上热蒸镀 Al 涂层(0.86 nm)和 Cu 层(1.29 µm)制
方案,通过溶剂渗入 PP 基膜表面的孔隙中刻蚀得 备柔性电极,发现缓冲涂层的引入促进 Cu 的完整
到纳米纹理化结构并产生可以和金属配位的亲水 生长结晶,降低残余热应力,并极大地提高了铜与
[58]
基团,以成本低、设备简单和易于规模化生产著称 。 基底之间界面结合力。而 Wang 等 [65] 引入 Al 等中
Umran 等 [59] 对双向拉伸 PP 基膜进行优化浓度 间层,低沉积温度下使用 HiPIMS 技术发现 Al 很难
磷酸刻蚀,引发结晶度和粗糙度的适度增加,产生 与聚合物基底形成 Al-C 键,不利于增强黏合强度,
浅陷阱,有利于降低界面电荷衰减,延长使用寿命。 而 Cr 等金属中间层表现出良好的结合效果。
在高电热应力下,磷酸基团反应强烈,有助于形成 (2)薄高分子涂层
额外的交联,进一步增强薄膜机械强度。Regis Chashmejahanbin 等 [66] 对 PP 表面在不同等离
等 [60] 用氢氧化钠处理可以显著改变 PP 网的表面 子体/丙烯酸溶液处理后的涂层黏附性进行研究,
特性,提升表面能和润湿性,增加粗糙度,并且可保 中和酸性后会使 PP 表面丙烯酸接枝程度更高,功
持其机械完整性。Alaburdaite 等 [61] 通过使用铬酸、 能修饰效果更好。PP 表面涂覆丙烯酸酯类黏合剂
硫酸和磷酸的混合物在高温下短时间(20 min)处 能一定程度上增强结合力 ,聚多巴胺(Polydo-
[28]
理 PP 薄膜,可以将表面的氢原子转化为极性基团, pamine,PDA)涂层已被用于功能化各种聚合物,赋
如羟基和羧基。Favaro 等 [62] 采用高锰酸钾和盐酸 予其强附着力。Lee 等 [67] 发现对各种基材进行简
溶液组合同样也可以对聚合物的表面形态以及化 单浸涂后就能形成涂层,并能通过大分子接枝、金
学结构进行改变,但发现 200 µm 厚 PP 薄膜的热稳 属离子还原等进一步二次反应。但受限于成本昂
定性降低。 贵,无法进行大规模应用,经常用性质类似的多酚
尽管化学刻蚀方法简单经济,但因为强酸、强 类化合物替代使用。Qiu 等 [68] 通过邻苯二酚和聚
碱氧化试剂会对 PP 基膜表面的刻蚀程度过大而出 乙烯亚胺共沉积改性 PP 微孔膜,赋予基膜优异的
现较大粗糙度,导致基底在磁控溅射等方式沉积铜 亲水性和高表面电荷。Wang 等 [69] 研究开发了一步
层时未能完全覆盖而有孔隙,同样也会一定程度上 法单宁酸(Tannic Acid,TA)和 3-氨基丙基三乙氧基
降低金属层与基膜的黏合强度。此外,在聚合物加 硅烷(3-Aminopropyltriethoxysilane,APTES)涂层,在
工过程中还需要进行清洗和干燥等程序,这必然会 PP 基膜表面能组装具有丰富 TA 亲水基团的纳米
增加单次表面处理操作的加工成本,同时还存在产 球(图 12),同时增加 PP 基膜的粗糙度和极性,对
生危废需要处置的问题。 PP/Cu 的界面强化具有借鉴意义。而 Ouyang 等 [50]
2.2.2 涂层功能修饰方案 研究超轻 PASC 基复合铜集流体(图 13(a))时发现
针对 PP 基膜表面原位改性处理存在不同程度 磁控溅射铜层时 Cu 与基底上的 C=O 基团以及 N-
上以牺牲基底的本征性能和结构完整性为代价来 H 基团会产生强配位,进一步提升复合集流体的稳
强化 PP/Cu 界面的问题,对基膜的断裂伸长率、热 定性。因此,TA 在 Tris HCl 等溶剂中被氧化后产
稳定性等方面造成不良影响。因此,在 PP 支撑层 生的醌中的 C=O(图 13(b))以及 APTES 中的 N-H
上添加致密涂层(薄高分子涂层、薄金属层等)作为 能与 Cu 之间形成配位(图 13(c~d)),来强化支撑
功能修饰,以增强支撑层与导电层间的分子间作用 层与导电层的结合。
力或化学键合的涂层强化法均有一定的可行性。 Wang 等 [70] 通 过 引 入 Ag 增 加 对 TA 的 氧 化 ,
+
(1)薄金属涂层 研究 PP 基底上的 TA-APTES 涂层的二次反应,得
Wang 等 [63] 选择 Ni、Al、Cr 等金属作为中间层 到的银纳米颗粒增加了拓扑粗糙度(图 13(e))。
材料,利用高功率脉冲磁控溅射技术在等离子体预 Kim 等 [71] 分析 TA 羟基红外位移发现,TA 结构中
处理后的聚合物基底上进行金属层的沉积。发现 的酚羟基会转变形成 C=O 基团,这一方面促进 TA
中间层 Ni 能使 Cu 原子沉积不再孤岛式生长,同时 与 APTES 通过迈克尔加成或席夫碱反应形成交联
促进 Cu 晶粒形核,抑制晶粒长大,提高致密度和附 结构,利用 APTES 骨架强化 TA 基黏合层的内聚
着力。由于其和 Cu 均为面心立方晶格(Face Center 力;另一方面,Veisi 等 [72] 发现 C=O 官能团可以与

