Page 41 - 《真空与低温》2025年第3期

312 真空与低温 第 31 卷 第 3 期

借抗辐射性、高稳定性和微型化优势，为太空技术 [13] JENNINGS S. The mean free-path in air[J]. Journal of
（如电推进、能源系统、抗辐射电子）提供了革命性 Aerosol Science，1988，19（2）：159−166.
解决方案。未来，随着制造工艺的成熟和太空验证 [14] DU X，SKACHKO I，BARKER A，et al. Approaching bal-
的推进，这类技术有望成为深空探测、卫星网络和 listic transport in suspended graphene[J]. Nature Nanotech-
空间基础设施的核心支撑，推动航天器向更高效、 nology，2008，3（8）：491−495.
可靠、低成本的方向发展。 [15] NEIDERT R，PHILLIPS P，SMITH S，et al. Field-emission
triodes[J]. IEEE Transactions on Electron Devices， 1991，
参考文献：
38（3）：661−665.

[16] HAN J W，SUB OH J，MEYYAPPAN M. Vacuum nano-
[1] ANISIMOV A A，BELOV A V，SERGEEV T V，et al. Evo-
electronics：Back to the future?—Gate insulated nanoscale
lution of bioamplifiers： From vacuum tubes to highly inte-
vacuum channel transistor[J]. Applied Physics Letters，2012，
grated analog front-ends[J]. Electronics，2022，11（15）：2402.
100（21）：213505.
[2] FANTON J P. On the mythic sound of vacuum tubes[J]. AC-
TA IMEKO，2023，12（3）：52. [17] CREWE A V，EGGENBERGER D N，WALL J，et al. Elec-
[3] XI H，HUANG M，WANG P，et al. The development of W tron gun using a field emission source[J]. Review of Scien-
tific Instruments，1968，39（4）：576−583.
waveband diffraction radiation oscillator[J]. Physics of Plas-
mas，2024，31（5）：053101. [18] DEHEER W，CHATELAIN A，UGARTE D. A carbon na-
[4] 李晓峰，王玉春，邹雯婧. 微波真空电子器件的发展与应 notube field-emission electron source[J]. Science，1995，270
用 [J]. 微波学报，2022，38（5）：33−38. （5239）：1179−1180.
[5] 杨明，刘超，郑新. 大功率、高频段电真空器件在雷达技术 [19] FOWLER R H， NORDHEIM L. Electron emission in in-
领域的应用分析 [J]. 现代雷达，2017（4）：83−86. tense electric fields[J]. Proceedings of the Royal Society A，
[6] SCHWANK J R，SHANEYFELT M R，DODD P E. Radia- 1928，119（781）：173−181.
tion hardness assurance testing of microelectronic devices and [20] CUTLER P，HE J，MISKOVSKY N，et al. Theory of elec-
integrated circuits：Radiation environments，physical mecha- tron-emission in high fields from atomically sharp emitters -
nisms，and foundations for hardness assurance[J]. IEEE Tran- validity of the fowler-nordheim equation[J]. Journal of Vac-
sactions on Nuclear Science，2013，60（3）：2074−2100. uum Science & Technology B，1993，11（2）：387−391.
[7] SUBRAMANIAN K，KANG W P，DAVIDSON J L，et al. A [21] HE J，CUTLER P，MISKOVSKY N. Generalization of fow-
review of recent results on diamond vacuum lateral field emi- ler-nordheim field-emission theory for nonplanar metal emit-
ssion device operation in radiation environments[J]. Micro- ters[J]. Applied Physics Letters，1991，59（13）：1644−1646.
electronic Engineering，2011，88（9）：2924−2929. [22] BEEBE J M，KIM B，GADZUK J W，et al. Transition from
[8] SHOULDERS K R. Microelectronics using electron-beam- direct tunneling to field emission in metal-molecule-metal
activated machining techniques[J]. Advances in Computers， junctions[J]. Physical Review Letters，2006，97（2）：026801.
1961，2：135−293. [23] SIMMONS J G. Generalized formula for the electric tunnel
[9] LI X，FENG J. Review of nanoscale vacuum devices[J]. Elec- effect between similar electrodes separated by a thin insulat-
tronics，2023，12（4）：802. ing film[J]. Journal of Applied Physics，1963，34（6）：1793−
[10] SPINDT C A. A thin-film field-emission cathode[J]. Journal 1803.
of Applied Physics，1968，39（7）：3504−3505. [24] MATTHEWS N，HAGMANN M J，MAYER A. Comment：
[11] KOSMAHL H. A wide-bandwidth high-gain small-size dis- Generalized formula for the electric tunnel effect between
tributed-amplifier with field-emission triodes （fetrodes） for similar electrodes separated by a thin insulating film[J].
the 10 to 300 GHz frequency-range[J]. IEEE Transactions Journal of Applied Physics，2018，123（13）：136101.
on Electron Devices，1989，36（11）：2728−2737. [25] STRATTON R. Theory of field emission from semiconduc-
[12] PARK S S，PARK D I，HAHM S H，et al. Fabrication of a tors[J]. Physical Review，1962，125（1）：67−82.
lateral field emission triode with a high current density and [26] BISWAS D. Interpreting the field emission equation for
high transconductance using the local oxidation of the po- large area field emitters[J]. Journal of Vacuum Science &
lysilicon layer[J]. IEEE Transactions on Electron Devices， Technology B，2022，40（2）：023201.
1999，46（6）：1283−1289. [27] JENSEN K L，KODIS M A，MURPHY R A，et al. Space