Page 64 - 《摩擦学学报》2021年第5期
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第 5 期                     梁桂强, 等: 半共格界面铜镍双层膜力学差异机制纳观探析                                       653



                                          SPDLOI


                            1/6[211]
                                             SF
                                                                                          1/6[−11−2]
                                                                       1/6[12−1]
                                      1/6[−1−21]
                     1/6[1−12]
                                                                                     1/6[−2−1−1]
                                               z                                                 z
                                                  y                                                  y
                                               x                                                  x
                  (a) Cu based Ni film semi-coherent interface      (b) Ni based Cu film semi-coherent interface

                       Fig. 7  Semi-coherent interface morphology on X-Y plane: (a) Cu based Ni film semi-coherent interface;
                                            (b) Ni based Cu film semi coherent interface
                             图 7    X-Y平面半共格界面形貌:(a) Cu基Ni膜半共格界面; (b) Ni基Cu膜半共格界面

            箭头]. 可见,两种不同界面结构的铜镍双层膜的Shockley                        式(7)中: G表示剪切模量,b为柏氏矢量,r表示两
            分位错柏氏矢量有明显差异. 可猜想铜镍半共格界面                           位错间间距. 若      f x>0,两位错间表现为排斥作用; 若
            的柏氏矢量显著差异,会极大影响半共格界面位错的                            f x<0,两位错间表现为吸引作用.
            运动轨迹,进而改变金属多层膜力学性质.                                    随压深持续增加,从图8(c)知,在Cu基Ni膜中,失
                分别取铜镍双层膜在压深h为1.25、2和3 nm时的                     配位错网因与堆垛层错排斥作用明显,可清晰看出图8(c)
            微结构分析(见图8). 对比图8(a~b)知:半共格界面上失                     相比图8(a)共格区域面积增大不少,导致一部分位错
            配位错网与压痕中产生的位错间发生了耦合反应,导                            更易穿过共格界面区域进入到Cu膜中[见图8(c)]. 在
            致原有半共格界面的失配位错网结构发生弯曲变形                             图8(d)的Ni基Cu膜中,压痕产生的大量位错因与半共
            而消耗部分能量,改变了半共格区域形态,而演化出                            格界面失配位错网发生相互吸引作用释放出能量,导
                                            [28]
            新失配位错网构型(见图8). 潘金生等 针对同一滑移                         致压痕产生的位错被限定在Cu膜内,无法穿透进入
            面下两位错间相互作用力形式提出1个理论性公式(见                           Ni膜内,相当于Ni基Cu膜半共格界面对位错起到阻碍
            式7):根据此公式把图8(a)和图8(b)中的柏氏矢量分别                      作用,导致其韧性增强,提高了该材料耐磨性. 在压深
            代入式(7),可得以下两种情况讨论:一种是在Cu基                          为3 nm时,从图8(e)相比图8(c)、图8(f)相比图8(d),再
            Ni膜界面中,观察图8(a)中Cu基Ni膜微结构界面失配                       次证实Cu基Ni膜半共格界面的强化排斥作用越加明
            位错网上的分位错线与堆垛层错间由于                 b 1 ×b 2 > 0,b 3 ×  显,而Ni基Cu膜半共格界面的软化吸引作用更加凸显.
            b 4 > 0,说明两Shockley分位错间相互作用表现为排斥                       基于上述铜镍双层膜半共格界面结构导致位错
            力,导致半共格区域构型发生了变化[见图8(a,c,e)],消                     穿透半共格界面出现显著差异特征,本文作者运用
                                                                     [29]
            耗掉更多能量. 但由于失配位错网钉扎作用,易引起                           Koehler 提出的两种不同模量间材料所形成的界面
            该位错网构型发生弯曲变形,进而增大共格区域面                             会对位错产生一种镜像力,给不同界面间的作用力赋
            积,而相应减小了半共格区域面积[见图8(e)],易使得                        予公式化,文献[30]也对此给出公式(8),图9为该公式
            纳米压痕产生的位错可直接穿透Cu基Ni膜的半共格                           示意图,方便理解公式变量含义.
            界面直接进入铜膜中[见图8(c,e)]. 另一种是在Ni基                                         RE B b (t B −2r)
                                                                                      2
                                                                              F =                         (8)
            Cu膜中,观察图8(b)可知,失配位错网的分位错线与                                              4π(t B −r)
            堆垛层错间由于       b 5 ×b 6 < 0,b 7 ×b 8 < 0,表明两Shockley    式(8)中: R = (E A − E B )(E A + E B ),如F>0, 界面对位
            分位错间相互作用表现为吸引力,容易相互咬合而形                            错为排斥力,F<0, 界面对位错具有吸引力. 在Cu基
            成新的位错释放能量,导致失配位错网发生弯曲变                             Ni膜中,E 、E 分别表示Cu、Ni弹性模量,b为Shockley
                                                                           B
                                                                       A
            形,阻碍了堆垛层错穿过Ni基Cu膜半共格界面而进入                          分位错柏氏矢量,t 表示Ni层厚度,r表示位错在Ni层
                                                                               B
            镍膜中[见图8(d,f)].                                     内距离界面的距离. 依据文献[31]的Cu弹性模量为
                                                               124 GPa,Ni弹性模量为218 GPa. 当位错接近界面时,
                                  Gb x ×b y
                              f x =                     (7)
                                    2πr                        t >2r,而E <E . 由镜像力公式可得, 镜像力F对Ni内
                                                                B
                                                                        A
                                                                           B
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