Page 20 - 《中国医疗器械杂志》2025年第6期
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Chinese Journal of Medical Instrumentation                                         2025年 第49卷 第6期

                                                     研   究   与   论   著




                                                    集电极         5.7 kV   增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出
                           C                                          rms
                   简单的等                                        (
                                                                 OUT  和 OUT )以及 2.5 A 的拉电流能力和
                   效电路                     电路符号        I C            H        L
                                                                5 A的灌电流能力。输入端由2.25 ~5.5 V的单电源
                              PNP晶体管                    +
                                                                供电运行,输出侧支持的电源电压范围为15 V至
                                             I G
               G                                         V OE
                                         栅极                     30 V。两路互补金属氧化物半导体(complementary
                                                        −
                                                                metal-oxide-semiconductor, CMOS)输入控制栅极
                                               V GE
                                                       I E
                 N沟道                                            驱动器输出状态,76 ns的短暂传播时间保证了对
                MOS管                        I E =I C
                           E
                                                    发射极         输出级的精确控制,内置的去饱和(DESAT)故
                                                                障检测功能可识别IGBT何时处于过流状态。检测
                         图2   IGBT等效电路及电路符号
                    Fig.2  Equivalent circuit and circuit symbol of IGBT  到DESAT时,“静音”逻辑会立即阻断隔离器输
                  基于逆变器脉冲调制原理,将逆变电路中的                           出,并启动软关断过程以禁用OUTH,并在2 μs的
              开关更换为IGBT,同时加上对IGBT的驱动芯片                          时间跨度内将OUTL拉至低电平。当OUTL达到
              以及控制IGBT开关的反馈电路,得到如图3所示                           2 V时(相对于最大负电源电势VEE2),栅极驱动
              的三相H桥IGBT模块设计图。驱动芯片采用的是                           器输出会被“硬”拉至VEE2电势,从而立即将
              ISO5452,该芯片是一款用于IGBT和MOSFET的                      IGBT关断。


                                                                           16 V (门电路电源驱动)
                            V DC +                              IGBT 模块
                                                    16 V                       TL4318×3 TLV70450
                                                     Top                         5 V   5 V
                                         PWM1        Gate
                                                    Driver
                            Up to                               U
                                                  IS05452
                           1200V DC
                                                  ×2                  V    W
                                         PWM6            16 V
                                                    Bottom
                                                                                AMC1301
                                                     Gate
                                                    Driver                           电流感应
                                                                                OPA320
                           V DC −                                      NTC
                                                                                    ×3
                            5 V     TLV1117-33  3.3 V  AMC1311   AMC1311       过电流保护
                                             3.3 V                             (TLC372×3)
                                     REF2033  1.65 V                           接地故障保护
                                                     OPA320       OPA320
                                                                               (TLC372×1)

                                                       DC输入电源       IGBT模块
                                  PWM1       PWM6                                过流监测 接地监测
                                                       监测           温度监测
                                                         MUC&主控制板
                                                   图3   三相H桥IGBT模块设计
                                           Fig.3  Design diagram of three-phase H-bridge IGBT module

                  使用ISO5452驱动器接收由MCU发出的脉冲宽                      成像性能最适合的参数            [17-18] 。DQE描述成像装置维
              度调制指令,控制由6个IGBT构成的模块通过半桥                          持从辐射野到输出数字化影像数据的信噪比的能
              输出高达1 500 V 的三相交流电转换器。使用                          力。在X射线成像中,辐射野中的噪声与空气比释
                              dc
              AMC1301模块构成MCU的前向反馈、输出反馈,                         动能水平是密切相关的,所以DQE值也可以描述给
              以及对IGBT实施温度检测的电路。
                                                                定数字X射线摄影装置的剂量效率。作为成像装置
               2    量子探测效率的测定                                   的量化指标,DQE可以很好地反映噪声功率谱对图
                                                                像质量的影响,如果使用同一成像装置,则可以评
               2.1    测量原理                                      价由于某一特定干扰因素的加入对图像质量的影
                  量子探测效率(DQE)是描述X射线成像装置                         响。因此,运用DQE评价安装、拆除逆变器前后逆


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