Page 81 - 《爆炸与冲击》2025年第12期
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第 45 卷 王鸿立，等： 高铁接触网铜镁合金材料的率温耦合变形机理与本构参数 第 12 期
KAM KAM
5° 5°
0° 0°
50 µm 50 µm
(a) 293 K, 2 000 s −1 (b) 473 K, 2 000 s −1
KAM KAM
5° 5°
0° 0°
50 µm 50 µm
(c) 673 K, 2 000 s −1 (d) 873 K, 2 000 s −1
图 9 同一应变率、不同温度下压缩实验后的接触网铜镁合金材料 KAM 分布图
Fig. 9 KAM diagram of catenary copper-magnesium alloy after compression testing
图 10 给出了试件平均几何必须位错密度与应变率和温度之间的关系，平均几何必须位错密度随
着温度的升高呈下降趋势，随着应变率的升高逐渐升高到峰值后趋于平稳。这表明接触网铜镁合金
材料在高温下主要以热软化机制为主，温度能极大增加材料 DRV 与 DRX 过程，应变率强化与加工硬
化在与温度软化效应竞争时处于劣势。同时，从图 5 可以看出，室温下材料的应变率敏感性不明显，
这是由于，一方面是几何必须位错随应变率的增大没有持续增大，另一方面是动态绝热温升使得高应
10.0 10.0
9.5 9.5
9.0 9.0
ρ GND, ave /m −2 8.5 ρ GND, ave /m −2 8.5
8.0
8.0
7.5 7.5
7.0 7.0
200 400 600 800 1 000 0 500 1 000 1 500 2 000 2 500 3 000 3 500
Temperature/K strain rate/s −1
(a) Relationship between ρ GND, ave and temperature (b) Relationship between ρ GND, ave and strain rate
图 10 不同温度和应变率下的平均几何位错密度
Fig. 10 Average geometrical dislocation density at different temperatures and strain rates
123101-9
