Page 45 - 《真空与低温》2026年第1期
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42 真空与低温 第 32 卷 第 1 期
表 2 三种温度下阻氘涂层的 PRF 3 结论
Tab. 2 PRF of deuterium blocking coating at three
本文围绕紧凑型氘氘中子发生器中关键靶材
temperatures
的阻氘涂层展开研究,重点探讨了氧化铝阻氘涂层
温度/K PRF 的表面微观形貌、元素组成,不同温度下的阻氘性
750 145
能及其对中子产额的提升效果。采用磁控溅射
850 153
技术成功制备了氧化铝阻氘涂层,通过扫描电子显
950 138
微镜对涂层结构进行表征,结果显示自然氧化形成
的氧化铝涂层整体较为致密。在气体驱动渗透平
2.3 中子产额测量
台 上 进 行 的 阻 氘 性 能 测 试 表 明, 氧 化 铝 涂 层 在
为通过实验验证该氧化铝阻氘涂层的实际效
750 K、850 K 与 950 K 三种温度条件下均表现出良
果,本研究将两种靶材置于 ECR 型中子发生器中 好且稳定的阻氘性能。进一步在 ECR 中子发生器
进行对比测试:一种为镀有 3 μm 钛涂层与 1 μm 氧 中进行对比实验,在氘离子束能量为 60 kV、束流
化铝阻氘涂层的氘靶,另一种为仅镀有 3 μm 纯钛 强度为 4.82 mA 的工况下,不含阻氘涂层的靶材中
涂层的氘靶。实验过程中,中子发生器所输出的 子计数总额约为 24 255,而含氧化铝阻氘涂层靶材
氘 离 子 束 能 量 设 定为 60 kV, 束 流 强 度 稳 定 在 的中子计数总额提升至 28 335,中子产额提高约
4.82 mA。中子产额测试结果如图 3 所示。 17%。氧化铝阻氘涂层有效提升了紧凑型氘氘中
从图 3 可明显观察到,含阻氘涂层靶的中子计 子发生器的中子产额,为中子发生器在中子产额提
数最高峰值达到 32,而纯涂层膜靶的峰值仅为 24。 升方面的进一步优化提供了技术参考。
通过对整个测量周期内的中子计数进行累加统计,
参考文献:
纯钛涂层靶的中子计数总额约为24 255,而含阻氘
涂层靶的中子计数总额为 28 335。对比分析表明, [1] 丁大钊,叶春堂,赵志样. 中子学物理原理、方法与应用(上
阻氘涂层的应用使中子发生器的总中子产额提升 册)[M]. 北京:原子能出版社,2005.
了约 17%,证实其在提高中子输出性能方面具有显 [2] MARCHETTI L,HERMS E,LAGHOUTARIS P,et al. Hy-
drogen embrittlement susceptibility of tempered steel[J]. In-
著效果。阻氘涂层对中子产额的提升机制,本质上
ternational Journal of Hydrogen Energy,2011,36(24):15880.
源于其能有效抑制氘原子从靶涂层材料中向基底
[3] PERUJE A. FOREY K S. Tritium permeation barriers for fu-
材料的扩散,从而提高靶涂层中氘原子的富集度,
sion technology[J]. Fusion Engineering & Design,1995,28
进而增加氘-氘反应概率,实现中子产额的提高。
(95):252.
在本研究范围内,尚未发现该阻氘涂层对靶材使用
[4] JARMAN S E,PINCHIN J,BRUSHWOOD J M,et al. De-
寿命具有明显提升作用。
sign and construction of a facility for neutron activation anal-
40 ysis using the 14 MeV neutron generator at HMS Sultan[J].
含阻氘涂层
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chemis try at the atomic scale revealed in hydrogen-induced
0
0 2 000 4 000 6 000 8 000 semiconductor surface metallization[J]. Nature Materials,
道址(CH)
2003,2(4):253−258.
图 3 阻氘涂层与无阻氘涂层下中子产额对比 [7] 胡立,张桂凯,向鑫,等. Fe-Al/Al 2 O 3 阻氚涂层热处理条件
Fig. 3 Comparison of neutron yields between targets with/without 对 HR-2 不锈钢力学性能影响 [J]. 核化学与放射化学,2021,
deuterium barrier coating 43(3):244−251.

