Page 45 - 《真空与低温》2026年第1期
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42                                          真空与低温                                   第 32 卷 第  1  期


                        表 2 三种温度下阻氘涂层的         PRF               3 结论
                  Tab. 2 PRF of deuterium blocking coating at three
                                                                     本文围绕紧凑型氘氘中子发生器中关键靶材
                                temperatures
                                                                的阻氘涂层展开研究,重点探讨了氧化铝阻氘涂层
                       温度/K                     PRF             的表面微观形貌、元素组成,不同温度下的阻氘性
                         750                    145
                                                                能及其对中子产额的提升效果。采用磁控溅射
                         850                    153
                                                                技术成功制备了氧化铝阻氘涂层,通过扫描电子显
                         950                    138
                                                                微镜对涂层结构进行表征,结果显示自然氧化形成

                                                                的氧化铝涂层整体较为致密。在气体驱动渗透平
               2.3 中子产额测量
                                                                台 上 进 行 的 阻 氘 性 能 测 试 表 明, 氧 化 铝 涂 层 在
                  为通过实验验证该氧化铝阻氘涂层的实际效
                                                                750 K、850 K  与  950 K  三种温度条件下均表现出良
              果,本研究将两种靶材置于              ECR  型中子发生器中            好且稳定的阻氘性能。进一步在                 ECR  中子发生器
              进行对比测试:一种为镀有             3 μm  钛涂层与    1 μm  氧    中进行对比实验,在氘离子束能量为                   60 kV、束流
              化铝阻氘涂层的氘靶,另一种为仅镀有                    3 μm  纯钛     强度为    4.82 mA  的工况下,不含阻氘涂层的靶材中
              涂层的氘靶。实验过程中,中子发生器所输出的                             子计数总额约为         24 255,而含氧化铝阻氘涂层靶材
              氘 离 子 束 能 量 设 定为      60 kV, 束 流 强 度 稳 定 在        的中子计数总额提升至              28 335,中子产额提高约
              4.82 mA。中子产额测试结果如图             3 所示。              17%。氧化铝阻氘涂层有效提升了紧凑型氘氘中

                  从图   3 可明显观察到,含阻氘涂层靶的中子计                      子发生器的中子产额,为中子发生器在中子产额提
              数最高峰值达到         32,而纯涂层膜靶的峰值仅为             24。    升方面的进一步优化提供了技术参考。
              通过对整个测量周期内的中子计数进行累加统计,
                                                                参考文献:
              纯钛涂层靶的中子计数总额约为24 255,而含阻氘
              涂层靶的中子计数总额为              28 335。对比分析表明,           [1]   丁大钊,叶春堂,赵志样. 中子学物理原理、方法与应用(上
              阻氘涂层的应用使中子发生器的总中子产额提升                                册)[M]. 北京:原子能出版社,2005.
              了约   17%,证实其在提高中子输出性能方面具有显                        [2]   MARCHETTI L,HERMS E,LAGHOUTARIS P,et al. Hy-
                                                                   drogen embrittlement susceptibility of tempered steel[J]. In-
              著效果。阻氘涂层对中子产额的提升机制,本质上
                                                                   ternational Journal of Hydrogen Energy,2011,36(24):15880.
              源于其能有效抑制氘原子从靶涂层材料中向基底
                                                                [3]   PERUJE A. FOREY K S. Tritium permeation barriers for fu-
              材料的扩散,从而提高靶涂层中氘原子的富集度,
                                                                   sion technology[J]. Fusion Engineering & Design,1995,28
              进而增加氘-氘反应概率,实现中子产额的提高。
                                                                   (95):252.
              在本研究范围内,尚未发现该阻氘涂层对靶材使用
                                                                [4]   JARMAN S E,PINCHIN J,BRUSHWOOD J M,et al. De-
              寿命具有明显提升作用。
                                                                   sign and construction of a facility for neutron activation anal-


                    40                                             ysis using the 14 MeV neutron generator at HMS Sultan[J].
                                            含阻氘涂层
                    35                      不含阻氘涂层                 Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry,2007,271
                                                                   (1):47−53.
                    30                                          [5]   DHAMALE G D,PATINO M I,BALDWIN M J,et al. Ero-
                   中子计数个数  20                                      sion of high-Z refractory coatings for helicon plasma source
                    25

                                                                   window[J].  Plasma  Physics  and  Controlled  Fusion, 2025,
                    15
                                                                   67(9):095001.
                    10
                                                                [6]   VINCENT D,SOUKIASSIAN P G,FABRICE A,et al. Nano-
                     5
                                                                   chemis try at the atomic scale revealed in hydrogen-induced
                     0
                      0     2 000    4 000   6 000   8 000         semiconductor  surface  metallization[J].  Nature  Materials,
                                    道址(CH)
                                                                   2003,2(4):253−258.
                    图  3 阻氘涂层与无阻氘涂层下中子产额对比                      [7]   胡立,张桂凯,向鑫,等. Fe-Al/Al 2 O 3 阻氚涂层热处理条件
             Fig. 3 Comparison of neutron yields between targets with/without  对  HR-2 不锈钢力学性能影响  [J]. 核化学与放射化学,2021,
                            deuterium barrier coating              43(3):244−251.
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