Page 104 - 《真空与低温》2026年第1期
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席竹君等:对霍尔推力器大脉冲扰动的系统防护方法研究 101
ness of these protective measures is verified through a combination of simulation studies and experimental tests. The results
provide an engineering reference for ensuring the safe and reliable integration of Hall thrusters into spacecraft systems.
Key words:Hall thruster;the characteristics of high-current pulse discharges;the power processing unit(PPU);protec-
tive measures;simulation studies and experimental tests
0 引言 加速喷出时,部分离子在加速喷出过程中会与陶瓷
霍尔推力器利用电场和磁场将惰性气体粒子 放电室出口附近表面发生碰撞,导致放电通道出口
电离并加速喷出,从而产生推力,具有高效率、高比 附近的壁面在高速离子轰击、溅射下不断受到侵
蚀 [6-7] ,材料表面发生削蚀,如图 1 所示。
冲、长寿命、可靠性高等优点,广泛应用于地球静
止轨道卫星轨道提升与位置保持、低地球轨道卫星
空心阴极
的轨道维持与离轨、深空探测与星际转移等领域。
电子
霍尔推力器稳态工作期间,通过阳极与阴极之
推进剂
间的等离子体形成放电回路。工质气体电路的不 E
稳定性会导致放电回路中出现 1~100 kHz 的放电 阳极 霍尔电流
(气体分配器)
电流振荡,也叫低频振荡 ,对推力器稳定工作影 霍尔加速器
[1]
磁极
[2]
响较大 。当低频振荡较大时,一方面电离引出的
B 离子
离子束密度发生剧烈波动,会对处于推力器羽流分
布区域内的材料产生较强的离子体溅射效应,使得
陶瓷放电室
材料表面区域受到等离子体的持续溅射、轰击,逐
渐削蚀 ;另一方面会导致大脉冲电流的出现,可 图 1 霍尔推力器通道侵蚀示意图
[3]
能引起推力器熄火、电源处理单元(PPU)的器件损 Fig. 1 Schematic diagram of Hall thruster channel erosion
坏,甚至通过整星电缆传导到卫星的一次母线,造
被侵蚀脱落的材料会朝着各个方向扩散,部分
成整星掉电的严重后果。
[8]
附着在通道沉积区内形成附着力较弱的沉积层 。
俄罗斯 Fakel 的 5 kW 级 SPT-140 霍尔推力器,
沉积层在陶瓷表面的附着力比较小,会在热应力、
在轨和地面试验中出现大脉冲电流放电扰动现象,
气流扰动等因素的作用下以颗粒或薄片的形式脱
导致推力器熄火,扰动持续 2 ms,电流峰值 80 A
落,进入放电通道 。由于电子热运动速度远高于
[7]
[4]
(额定 10 A),峰值脉宽 100 μs 级 。美国在进行
其他粒子,同时放电通道内磁极磁场对电子具有约
12.5 kW 级 HERMeS 霍尔推力器试验中发现,试验
束作用,通过库伦碰撞极大地增加了电子的有效碰
初期几乎每分钟都能够观察到小型的、不连续的
撞频率,脱落的沉积物颗粒进入等离子体后会更快
扰动。能诱发关机的严重扰动平均约为 5.9 h 发生 [9-10]
带负电,破坏了等离子体局部电中性平衡 ;另一
一次,升高阳极电压后,推力器工作过程中存在频
方面,脱落的沉积物材料在高能电子的撞击下更容
繁的大脉冲电流扰动,甚至瞬间导致了推力器熄火。
易被电离,成为新的等离子体,等离子体密度的飙
扰动期间,相对于推力器在 300 V、20 A 的额定工
升也提供了更多的导电粒子,被破坏的电中性平衡
作点,扰动的电流峰值接近 400 A 。
[5]
和撞击下产生的新等离子体会导致通道内等离子
放电扰动是由霍尔推力器固有特性决定,现阶
体密度增加或电子迁移率增加 ,使得等离子体局
[11]
段不可避免。如若不采取过流保护措施,大脉冲电
域不稳定,磁场对电子的约束瞬间失效,大量电子
流会传导到电源处理单元甚至其他单机,威胁整星
几乎无阻碍地直接涌向阳极,造成阳极电流 I a发生
安全,产生严重后果。因此,对 PPU 设计优化,针
雪崩式增长,形成尖锐的、瞬态的大电流脉冲 [12-13] ,
对性地采取过流保护措施显得尤为重要。
其增长可以近似为:
1 霍尔推力器放电扰动机理分析 t
exp (1)
I a (t) ≈ I a 0
推力器电离产生等离子体和加速离子的过程 τ
主要发生在陶瓷放电室中,推进剂气体从阳极端注 式中: I a (t)为在时间 t时的阳极电流; I a 0 为电流增长
入,在陶瓷通道中被电离成等离子体,离子被电场 的初始值; τ为一个非常短的时间常数,通常在微秒

